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P沟道功率晶体管NVGS3443T1G

产品报价：11元

更新时间：2019/7/2 11:13:18

产地：美国

品牌：ON

型号：NVGS3443T1G

厂商性质：

公司名称：深圳市星际金华实业有限公司

产品关键词： NVGS3443T1G P沟道功率晶体管 IC芯片电子元器件集成电路

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P沟道功率晶体管NVGS3443T1G 现货：

规格：

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 565pF @ 5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6

特征：

超低RDS（上）

更高的效率延长电池寿命

微型TSOP-6表面贴装封装

这些器件是无铅的，符合RoHS标准

适用于汽车和其他应用的NVGS前缀，需要独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力

应用：

便携式和电池供电产品的电源管理

以上型号 P沟道功率晶体管NVGS3443T1G 由星际金华长期供应，价格请以当天咨询为准，更多关于P沟道功率晶体管NVGS3443T1G 产品详情，请咨询公司工作人员！

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