高纯锗晶体概述： 晶体习性与几何描述 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务（特殊规格，请参照附件）。
纯度 残留载荷
最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
l 同轴探测器
同轴探测器适用于下列公式：
where:
Nmax = 每立方厘米最大杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
纯度 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：
D = 晶体外表面
平面探测器
平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：
d=探测器外观尺寸厚度
径向分散载荷子（绝对值）
迁移 霍尔迁移
性能 P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
深能级 P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108 cm-3
完美晶体
P 型晶体 N 型晶体 位错密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 高纯锗HPGe晶体参数说明：| 高纯锗晶体 | |
| 产地 | 法国 |
| 物理性质 | 颜色 | 银灰色 |
| 属性 | 半导体材料 |
| 密度 | 5.32g/cm3 |
| 熔点 | 937.2℃ |
| 沸点 | 2830℃ |
| 技术指标 | 材料均匀度 | 特级 |
| 光洁度 | 特优 |
| 超高纯度 | 99.99999%-99.99999999999%（7N-13N) |
| 制备方式 | 锗单晶是以为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。 |
| 产品规格 | P、N型按客户要求定制 |
| 产品用途 | 超高纯度，红外器件、γ辐射探测器 |
| P型N型高纯锗 | 在高纯金属锗中掺入三价元素如、、等，得到p型锗；
在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。 |
| 交货期 | 90天 |
