现在位置:首页>行业专用>激光产品>激光器>
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
价 格:询价
产 地:德国更新时间:2021/9/10 14:45:14
品 牌:屹持光电技术型 号:LT-GaAs
状 态:正常点击量:2586
联 系 人:薛先生
电 话:02162209657
传 真:021-54843093
等 级: (第 9年)
性 质:生产型,
联系我时请说在来宝网上看到的,谢谢!
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。
1、半导体光电子器件结构生长
我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。
2、低温砷化镓
对于某些应用需要快速响应装置,例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件,响应时间短至1 ps。
我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓:
产品参数
参数:
砷化镓晶片直径:2“或4”
最大薄膜叠层厚度:5μm
规格:
LT-GaAs-50.8:2“(50.8mm)LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100:4“(100mm)LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100:4“(100 mm)LT-InGaAs晶圆
LT-GaA-100-C:具有定制金属结构的4“(100 mm)LT-GaAs晶圆
产品介绍
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。
1、半导体光电子器件结构生长
我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。
2、低温砷化镓
对于某些应用需要快速响应装置,例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件,响应时间短至1 ps。
我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓: