中华人民共和国国家标准GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的测定

中华人民共和国国家标准GB/T 1557-1989
硅晶体中间隙氧含量的
红外吸收测量方法

1 主题内容与适用范围
木标 准 规 定了用红外吸收测定硅晶体中间隙氧含量的方法。
本标 准 适 用于室温电阻率大于().IQ -C M的硅晶体中氧含量的测量。测量范围为:氧的浓度从
3.5 x 10 18 at·C二3至最大固溶度。
2 原理
2.1 本方法是用红外光洪仪测定硅一氧键在1107c-"1 (9.033411m)处的红外吸收系数来确定硅晶
体}，间隙氧的含址。凡是有该硅一氧键特征吸收带的任何晶体均可适用。
2.2 木方法借助}硅单晶中氧含量与11 07cm_’ 处红外吸收系数之间的关系。
3 测t仪器
3.1双光束红外分光光度计或傅立叶变换红外光谱仪。仪器在1 107cm一‘处的分辨率应小上5 cm o
3.2 测u样品架。
3.3 低温测U装置，能使试样和参比样品维持78K的温度。
3.4 干分]泛，精度0.Ol mm 。
3.5 标准平面平晶。
4 试样制备
4.1 测址试样的制务
4.1.1 切取的试样经双面研磨，两表面尤刀痕、划伤，试样的厚度偏差应小]-101x-。
4.1.2 研磨后的试样经机械抛光或化学抛光(仲裁时应用机械抛光样品)，使两表面均呈镜uu， 在
测U:部位应尤桔皮和小凹坑。
4.1.3 在试样测量部位，两表面的平整度均不大f"2.Nm。
4.1.4 在测量部位试样的厚度差应不大f1011m。
4.1.5氧含址大f或等f1、1017at ·cm-3的试样厚度约为2m m;氧含量小]"1 x 1 017at. cm -3
的试样厚度约为IOM M.
4.2 参比样.卯」的选取与制备
4.2.1 参比样品用78K空气参考法选取(见附录A)。
4.2.2 参比样.钻的制备同4.1.1一4.1.4条。
4.2.3 参比样品与待测试样的厚度差应小f0.5%。